Perkembangan RAM juga dibagi menjadi beberapa bagian
diantaranya adalah :
1.
DRAM (Dynamic RAM), diciptakan oleh IBM
padatahun 1970. DRAM adalah jenis RAM yang secara berkala harus refresh oleh
CPU agar data yang terkandung didalamnya tidak hilang. Frekuensi kerja yang
bervariasi, yaitu antara 4,77 MHz hingga 40MHz.
2.
FPM RAM (Fast Page Mode DRAM) ditemukan pada
tahun 1987. Memori jenis ini bekerja layaknya sebuah indeks atau daftar isi.
Page itu sendiri mengartikan bahwa bagian dari memori terdapat pada sebuah row
address. Ketika sistem membutuhkan isi suatu alamat memori, FPM tinggal
mengambil informasi mengenainya berdasarkan indeks yang telah dimliki. FPM
bekerja pada rentang frekuensi 16 MHz hingga 66 MHz serta mampu mengolah
transfer data (bandwith) sebesar 188,71 Mega Bytes (MB) per detiknya. Memori
ini lebih sering disebut DRAM saja tanpa FPM. Memori ini mulai banyak digunakan
pada sistem berbasis Intel 286, 386, serta sedikit 486.
3.
EDO DRAM (Extended Data Output Dynamic RAM)
adalah penyempurnaan dari FPM DRAM pada tahun 1995. Memori ini dapat
mempersingkat read cyclenya sehingga meningkatkan kinerjanya sekitar 20%. EDO
dan FPM tidak bisa dipasang secara bersamaan. Memori EDO banyak digunakan pada
sistem berbasis intel 486 dan kompatibelnya serta PENTIUM generasi awal.
4.
SDRAM PC66 (Synchronous Dynamic RAM) diciptakan
oleh Perusahaan Kingston yang mampu bekerja dengan kecepatan (frekuensi) bus
yang sama/singkron dengan frekuensi prosesor. Memori ini bekerja pada frekuensi
66MHz. SDRAM hanya membutuhkan tegangan sebesar 3,3 volt dan mempunyai access
time sebesar 10ns. Memori ini bisa bekerja dengan sistem berbasis prosesor
Soket 7 seperti Intel Pentium klasik (P75-P266MMX) maupun kompatibel dari AMD,
Winchip, IDT, dan Intel Celeron II generasi awal.
d. SDRAM PC100
Setelah lama diproduksi secara masal SDRAM PC66, Intel
membuat standar baru jenis memori yang mampu mengimbangi sistem chipset i440BX dimana chipset ini bekerja pada
frekuensi 100MHz dan berbasis Slot 1. Frekuensi 100MHz bekerja dengan prosesor
terbaru intel yaitu Intel Pentium II. Dari AMD k6-2, sistem soket Super 7
adalah perbaharui dari soket 7, yang bisa menggunakan memori ini.
1.
DR RAM (Direct Rambus DRAM) diciptakan pada
tahun 1999 dimana arsitekturnya berbeda dengan SDRAM. Bekerja pada sistem bus 800MHz
melalui sistem bus yang disebut dengan Direct Rambus Channel, yang mampu
mengalirkan data sebesar 1,6GB per detiknya (1GB=1000MHz). Karena harganya
mahal dan tidak disupport oleh sistem chipset dan prosesor kala itu maka memori
ini kurang berkembang.
2.
RDRAM PC800 adalah perkembangan dari DR DRAM.
Dengan mendapat dukungan dari Intel sebagai perusahaan prosesor yang terbaik
maka dipasangkanlah pada Pentium 4.
3.
SDRAM PC133 pada tahun yang sama dengan RDRAM
PC800. Dengan meningkatkan pada frekuensi 133MHz dengan access time 7,5ns dan
mampu mengalirkan data sebesar 1,06.
4.
SDRAM PC150 pada tahun 2000 oleh perusahaan
Mushkin yang mampu bekerja pada frekuensi 150MHz. Memori ini sengaja diciptakan
untuk keperluan overclocker. Para pengguna aplikasi game dan grafis 3 dimensi,
dekstop publishinh, serta komputer server yang menggunakan memori ini.
5.
DDR SDRAM (Double Dara SDRAM) pada tahun yang
sama dengan SDRAM PC150 dimana mampu bekerja pada frekuensi 100-133MHz akan
bekerja secara efektif pada frekuensi 200-266MHz. Digunakan pertama kali pada
kartu grafis AGP berkecepatan ultra dan prosesor AMD Thunderbird.
6.
DDR RAM adalah memori dengan 32MB bisa untuk
mendapatkan kemampuan 64MB. Jika frekuensi bus 100MHz berarti (100x2x64)/8
yaitu 1600MB/detik. Memori ini lebih dikenal DDR1.
7.
DDR2 RAM adalah perkembangan dari DDR1 karena
mulai cepatnya kinerja prosesor dan prosesor grafik. Diperkenalkan pertama kali
pada kuartal tahun 2003, dan mulai akhir tahun 2004 menggantikan DDR1. Ukuran yang
lebih kecil dari DDR1 dan menggunakan teknologi Ball Grid Array (BGA). DDR2
menggunakan DIMM 240 pin.
8.
DDR3 merupakan perkembangan lanjutan dari DDR2,
dimana keuntungan utama DDR3 adalah memiliki kemampuan transfer data 2x dari
DDR2 serta bekerja dengan baik ada teknologi 90 nanometer.